Co nas wyróżnia ?

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

G.Skill DDR4 - 32GB - 4800 - CL - 20 TZ Royal Elite G Dual Kit - F4-4800C20D-32GTEG

1302927-241202231247
G.SKILL
Opinie
834.79 zł
brutto za 1 szt
towar dostępny
Ilość:
<
od 8.99
około pt. 06.12 - wt. 10.12 u Ciebie
Oblicz ratę

Dane główne

1302927-241202231247
G.SKILL
F4-4800C20D-32GTEG
4713294228918
od 8.99
2024-12-03
Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i
nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

Typ produktu: SDRAM DDR4
Kolor: złoty (błyszczący)
EAN: 4713294228918
Kod producenta: F4-4800C20D-32GTEG
Seria: Trident Z Royal Elite
Pojemność: 32 GB (2 x 16 GB)
Ilość: 2 sztuki
Projekt: DIMM
Odpowiedni kanał: podwójny kanał
Profile: XMP (wersja 2.0)
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,2 V (od 1,2 do 1,5 V)
Domyślnie: DDR4-4800 (PC4-38400)
Zegar fizyczny: 2400 MHz
Czas: 20
: 30
: 30
: 50
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.

Typ produktu: SDRAM DDR4
Kolor: złoty (błyszczący)
EAN: 4713294228918
Kod producenta: F4-4800C20D-32GTEG
Seria: Trident Z Royal Elite
Pojemność: 32 GB (2 x 16 GB)
Ilość: 2 sztuki
Projekt: DIMM
Odpowiedni kanał: podwójny kanał
Profile: XMP (wersja 2.0)
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,2 V (od 1,2 do 1,5 V)
Domyślnie: DDR4-4800 (PC4-38400)
Zegar fizyczny: 2400 MHz
Czas: 20
: 30
: 30
: 50
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.