Co nas wyróżnia ?

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

G.Skill DDR4 64GB 3600 - CL - 16 TZ Royal Elite S Quad Kit GSK - F4-3600C16Q-64GTESC

G.Skill DDR4 64GB 3600 - CL - 16 TZ Royal Elite S Quad Kit GSK - F4-3600C16Q-64GTESC główny
1372524-241119231120
G.SKILL
Opinie
1319.74 zł
brutto za 1 szt
towar dostępny
Ilość:
<
od 8.99
około wt. 26.11 - czw. 28.11 u Ciebie
Oblicz ratę

Dane główne

1372524-241119231120
G.SKILL
F4-3600C16Q-64GTESC
4713294228666
od 8.99
2024-11-20
Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i
nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

Typ produktu: SDRAM DDR4
Srebro
Kod producenta: F4-3600C16Q-64GTESC
Seria: Trident Z Royal Elite
Pojemność: 64 GB (4 x 16 GB)
Ilość: 4 sztuki
Projekt: DIMM
Odpowiedni kanał: czterokanałowy
Profile: XMP (wersja 2.0)
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,35 V (od 1,2 do 1,35 V)
Domyślnie: DDR4-3600 (PC4-28800)
Zegar fizyczny: 1800 MHz
Czas: 16
: 19
: 19
: 39
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.
Waga: 20 gramów

Typ produktu: SDRAM DDR4
Srebro
Kod producenta: F4-3600C16Q-64GTESC
Seria: Trident Z Royal Elite
Pojemność: 64 GB (4 x 16 GB)
Ilość: 4 sztuki
Projekt: DIMM
Odpowiedni kanał: czterokanałowy
Profile: XMP (wersja 2.0)
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,35 V (od 1,2 do 1,35 V)
Domyślnie: DDR4-3600 (PC4-28800)
Zegar fizyczny: 1800 MHz
Czas: 16
: 19
: 19
: 39
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.
Waga: 20 gramów