Co nas wyróżnia ?

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

G.Skill DDR4 64GB 4000 - CL - 18 TZ Royal Elite S Dual Kit GSK - F4-4000C18D-64GTES

G.Skill DDR4 64GB 4000 - CL - 18 TZ Royal Elite S Dual Kit GSK - F4-4000C18D-64GTES główny
1301391-241202231247
G.SKILL
Opinie
1175.10 zł
brutto za 1 szt
towar dostępny
Ilość:
<
od 8.99
około pt. 06.12 - wt. 10.12 u Ciebie
Oblicz ratę

Dane główne

1301391-241202231247
G.SKILL
F4-4000C18D-64GTES
4713294228680
od 8.99
2024-12-03
Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i
nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

Typ produktu: SDRAM DDR4
Srebro
EAN: 4713294228680
Kod producenta: F4-4000C18D-64GTES
Seria: Trident Z Royal Elite
Oznaczenie modelu: F4-4266C19Q-64GTES
Pojemność: 64 GB (2 x 32 GB)
Ilość: 2 sztuki
Projekt: DIMM
Profile: XMP (wersja 2.0)
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,4 V (od 1,2 do 1,4 V)
Domyślnie: DDR4-4000 (PC4-32000)
Zegar fizyczny: 2000 MHz
Czas: 18
: 22
: 22
: 42
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.
Waga: 20 gramów

Typ produktu: SDRAM DDR4
Srebro
EAN: 4713294228680
Kod producenta: F4-4000C18D-64GTES
Seria: Trident Z Royal Elite
Oznaczenie modelu: F4-4266C19Q-64GTES
Pojemność: 64 GB (2 x 32 GB)
Ilość: 2 sztuki
Projekt: DIMM
Profile: XMP (wersja 2.0)
Złącze: 288 pinów
Napięcie: 1,4 V (od 1,2 do 1,4 V)
Domyślnie: DDR4-4000 (PC4-32000)
Zegar fizyczny: 2000 MHz
Czas: 18
: 22
: 22
: 42
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.
Waga: 20 gramów