Co nas wyróżnia ?

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

lexar Pamięć do notebooka DDR4 SODIMM 32GB(1*32GB)/3200 CL22

1282794-241120160754
LEXAR
Opinie
259.30 zł
brutto za 1 szt
towar dostępny
Ilość:
<
od 8.99
około pn. 25.11 - śr. 27.11 u Ciebie
Oblicz ratę

Dane główne

1282794-241120160754
LEXAR
LD4AS032G-B3200GSST
843367123780, 0843367123780
od 8.99
2024-11-21
Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i
nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

Lexar LD4AS032G-B3200GSST to moduł pamięci DDR4-3200 o pojemności 32 GB (PC4-25600). Moduł został przetestowany pod kątem opóźnienia wynoszącego 22 przy 3200 MHz. 260-pinowy, niebuforowany moduł SO-DIMM wymaga napięcia 1,2 V.Numer artykułu: 1720615


Typ SDRAM-DDR4
Czarny kolor
Kod EAN -0843367123780
Numer części producenta: LD4AS032G-B3200GSST
Pojemność 32 GB
Ilość 1 sztuka
w formacie SO-DIMM
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 19
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB) oraz poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność per DRAM”.

Lexar LD4AS032G-B3200GSST to moduł pamięci DDR4-3200 o pojemności 32 GB (PC4-25600). Moduł został przetestowany pod kątem opóźnienia wynoszącego 22 przy 3200 MHz. 260-pinowy, niebuforowany moduł SO-DIMM wymaga napięcia 1,2 V.Numer artykułu: 1720615


Typ SDRAM-DDR4
Czarny kolor
Kod EAN -0843367123780
Numer części producenta: LD4AS032G-B3200GSST
Pojemność 32 GB
Ilość 1 sztuka
w formacie SO-DIMM
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 19
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB) oraz poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność per DRAM”.

Parametry techniczne

Parametry techniczne produktu

Głębokość brutto (mm)
155.00 mm
Wysokość brutto (mm)
13.00 mm
Waga brutto
0.03 kg
Szerokość brutto (mm)
52.00 mm
Waga netto
0.01 kg
Papier/Karton
10.00 g
Plastik (bez PET)
11.40 g
Masa własna (kg)
0.02 kg
Objętość (m3)
0.00 m³
Wbudowana bateria
No
Podatek WEEE
No
Ilość w opakowaniu
1 szt.
Prędkość zegara pamięci
3200 Mhz
Rodzaj pamięci
260-pin SO-DIMM
Napięcie pamięci
1.2 V
Kod korekcyjny
No
Element dla
Notebook
Pojemność
32 GB
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
1x32 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR4
Zarejestrowany
No
Opóźnienie cas
CL19
Gwarancja
36 miesiąc