Co nas wyróżnia ?

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

Mushkin DDR4 - 16 GB - 2400 - CL - 17 ECC/REG 2Rx4 - Single - MPL4R240HF16G24

Mushkin DDR4 - 16 GB - 2400 - CL - 17 ECC/REG 2Rx4 - Single - MPL4R240HF16G24 główny
1300963-250313194921
MUSHKIN
Opinie
175.30 zł
brutto za 1 szt
towar dostępny
Ilość:
<
od 10.99
około pt. 21.03 - śr. 26.03 u Ciebie
Oblicz ratę

Dane główne

1300963-250313194921
MUSHKIN
MPL4R240HF16G24
0846651027528, 846651027528
od 10.99
2025-03-14
Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i
nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

Mushkin MPL4R240HF16G24 to moduł pamięci DDR4-2400 o pojemności 16 GB (PC4-19200) z korekcją błędów ECC z serii Proline. Zarejestrowany 288-pinowy moduł DIMM wymaga napięcia 1,2 V.


Typ SDRAM-DDR4
Kod EAN 0846651027528
Kod producenta MPL4R240HF16G24
Seria Proline
Pojemność 16 GB
Numer 1 szt
Konstrukcja DIMM
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa pamięć DDR4-2400 (PC4-19200)
Zegar fizyczny 1200 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 17
Czas aktywności wiersza (tRAS) 39
Funkcja ECC, zarejestrowany
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB , w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „Per DRAM Adresowalność”.

Mushkin MPL4R240HF16G24 to moduł pamięci DDR4-2400 o pojemności 16 GB (PC4-19200) z korekcją błędów ECC z serii Proline. Zarejestrowany 288-pinowy moduł DIMM wymaga napięcia 1,2 V.


Typ SDRAM-DDR4
Kod EAN 0846651027528
Kod producenta MPL4R240HF16G24
Seria Proline
Pojemność 16 GB
Numer 1 szt
Konstrukcja DIMM
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa pamięć DDR4-2400 (PC4-19200)
Zegar fizyczny 1200 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 17
Czas aktywności wiersza (tRAS) 39
Funkcja ECC, zarejestrowany
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB , w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „Per DRAM Adresowalność”.