Co nas wyróżnia ?

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

Mushkin DDR4 - 32 GB - 3200 - CL - 22 - Single Proline ECC

Mushkin DDR4 - 32 GB - 3200 - CL - 22 - Single Proline ECC główny
1259472-250312195356
MUSHKIN
Opinie
499.49 zł
brutto za 1 szt
towar dostępny
Ilość:
<
od 8.99
około czw. 20.03 - wt. 25.03 u Ciebie
Oblicz ratę

Dane główne

1259472-250312195356
MUSHKIN
MPL4E320NF32G28
0846651029447, 846651029447
od 8.99
2025-03-13
Dowiedz się więcej
Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i
nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

Mushkin MPL4E320NF32G28 to moduł pamięci DDR4-3200 o pojemności 32 GB (PC4-25600) z korekcją błędów ECC z serii Proline. 288-pinowy moduł DIMM obsługuje opóźnienie 22-22-22-52 przy 3200 MHz i wymaga napięcia 1,2 V.


Typ SDRAM-DDR4
Kod EAN 0846651029447
Kod producenta MPL4E320NF32G28
Seria Proline
Pojemność 32 GB
Numer 1 szt
Konstrukcja DIMM
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa pamięć DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 22
Czas aktywności wiersza (tRAS) 52
Funkcja ECC
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB , w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „Per DRAM Adresowalność”.
Uwaga Podwójna ranga x8

Mushkin MPL4E320NF32G28 to moduł pamięci DDR4-3200 o pojemności 32 GB (PC4-25600) z korekcją błędów ECC z serii Proline. 288-pinowy moduł DIMM obsługuje opóźnienie 22-22-22-52 przy 3200 MHz i wymaga napięcia 1,2 V.


Typ SDRAM-DDR4
Kod EAN 0846651029447
Kod producenta MPL4E320NF32G28
Seria Proline
Pojemność 32 GB
Numer 1 szt
Konstrukcja DIMM
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,2 V
Standardowa pamięć DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 22
Czas aktywności wiersza (tRAS) 52
Funkcja ECC
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB , w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „Per DRAM Adresowalność”.
Uwaga Podwójna ranga x8